隨著第三代半導體材料碳化硅（SiC）的快速發展，多孔石墨（PG/EM3）作為關鍵材料，廣泛應用于SiC晶體生長工藝中。多孔石墨具有獨特的孔隙結構、高純度、耐高溫和良好的熱穩定性，能夠顯著改善SiC晶體的生長環境，提升晶體質量。
產品特性
高純度：純度高，雜質含量低，滿足SiC晶體生長對材料的高純度要求。
多孔結構：具有大孔、介孔和微孔相結合的多級孔隙結構，能夠有效調節氣相組分，促進物質輸運，減少晶體缺陷。
耐高溫：可在2000℃以上的高溫環境下穩定使用，適用于SiC晶體生長的極端條件。
熱穩定性：能夠平衡生長環境的溫度分布，減少熱應力對晶體生長的影響。
定制化：可根據客戶的具體需求，定制不同尺寸和孔隙結構的產品。
應用領域
SiC晶體生長：作為長晶爐中的關鍵材料，多孔石墨板能夠改善晶體生長環境，減少微管和其他缺陷，提升晶體質量。
高溫隔熱材料：用于SiC生長爐的隔熱層，提高熱效率，降低能耗。
半導體制造：適用于離子注入、CVD等高溫工藝中的隔熱和支撐部件。
技術優勢
優化晶體生長：多孔石墨能夠有效調節生長環境中的C/Si比，減少相變的發生，提升晶體生長的穩定性。
降低研發成本：通過優化生長環境，減少晶體缺陷，降低SiC晶體生長的研發成本。
提高原料利用率：多孔石墨能夠促進原料的充分升華和利用，提高原料的有效利用率。
公司優勢
專業經驗：多年專注于第三代半導體材料的研發和生產，積累了豐富的行業經驗。
技術支持：提供專業的技術咨詢和定制化解決方案，滿足客戶的個性化需求。
質量保證：嚴格的質量檢測流程，確保產品符合國際標準
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