物理性質：具有銀灰色金屬光澤，條狀，梯形截面，性脆，易斷裂，硬度 5.0 左右，微導電，屬于典型的半導體。其密度為 5.35g/mL，熔點為 937℃，沸點為 2830℃，不溶于鹽酸、硝酸和常堿，但溶于 HF、王水和熱的 NaOH 溶液中。
區熔提純（核心步驟）
熔區建立：采用高頻感應加熱或紅外聚焦加熱，在鍺料中部形成寬度 1~3cm 的窄熔區，溫度控制在鍺熔點（937℃）以上 50~100℃，確保局部熔化、整體固態。
熔區移動與多道次提純
以 15~120mm/h 的速率移動熔區，雜質隨熔區向尾料端偏析，純鍺在熔區前方結晶。
單次區熔提純有限，需重復 8~20 道次，根據目標純度調整次數，每道次后熔區反向移動可提升均勻性。
參數控制：控制加熱功率、熔區移動速率與溫度梯度，避免局部過熱導致鍺揮發或石英舟變形，同時減少熱應力與晶體缺陷。
移動速度過慢的影響
雜質偏析充分，但生產效率低：慢速移動時，熔區與固相鍺的接觸時間長，雜質在固 - 液兩相的分配能充分達到平衡，偏析效果好，能有效將雜質 “推” 向尾料端，利于提升鍺錠主體純度。但過慢的速度會大幅延長單爐生產周期，增加能耗和設備占用成本，降低產能。
易產生成分不均與晶體缺陷：長時間高溫會導致鍺原子擴散過度，可能出現局部成分偏聚；同時，緩慢冷卻易形成粗大晶粒，晶粒間的晶界增多，還可能因熱應力累積產生微裂紋。
鍺揮發損失增加：熔區處于高溫的時間越長，鍺的揮發量越大，不僅降低成品收率，揮發的鍺蒸汽還可能污染爐體或重新凝結在鍺錠表面，引入二次雜質。
首飾廠：拋光打磨粉，地毯，洗手池等廢料；
印刷廠：印刷廢菲林、X光片、定影水；
化工石油廠：鈀，鉑，銠，釕催化劑等。
小金屬：粗銦，精銦，銦靶材，粗稼，金屬鎵99.99以及廢料。高價回收鎳片，銑刀， 數控刀片， 輕質數控刀，廢合金針，針尖，銦.銦絲.氧化銦.
