半導體摻雜與靶材：高純度鍺錠加工為鍺粉或鍺合金靶材，用于半導體芯片的摻雜工藝（如鍺硅外延層），提升芯片的導電性與穩定性；同時用于制備薄膜太陽能電池的吸收層，增強光 - 電轉換效率。
特種光纖制造：用于制備耐高溫光纖、抗輻射光纖（如核電廠通信光纖），鍺摻雜可增強光纖的機械強度與環境適應性，適配極端工況下的通信需求。
固態電池與儲能：鍺基化合物（如鍺硫化物）用于固態電池的電解質或電極材料，可提升離子傳導率與電池循環壽命，目前處于實驗室研發向產業化過渡階段。
核心工藝特點：?
優勢：設備成熟、產能大（單爐可生產 300~600mm 長鍺錠）、純度可控（6N~9N）、晶體完整性好；?
局限：對原料初始純度要求較高（需 5N 以上粗鍺），單爐生產周期長（8~20 道次，合計耗時 12~36 小時）。
