優異的光學性能：在可見光波段（380-780nm）內，ITO 薄膜的透光率通常能夠達到 80% 以上，高透光率確保了其在顯示器、太陽能電池等應用中的良好表現。
粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進行預燒結，以獲得初步的靶材結構。預燒結步驟通常在相對低溫下進行，目的是通過部分熔融促進粉末顆粒的結合，同時防止過早的晶粒長大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關鍵一環。
純度分級：
4N 精銦：純度≥99.99%，主要用于普通電子元器件及靶材原料。
5N-6N 精銦：純度≥99.999%-99.9999%，用于高端半導體、光電材料等領域。
物理化學性能
物理性質：
密度：7.31 g/cm3，熔點 156.6℃，沸點 2080℃，常溫下可彎曲而不碎裂。
導電性：電導率約 1.1×10? S/m，僅次于銀、銅，適用于高頻電子元件。
化學性質：
常溫下在空氣中穩定，加熱至 100℃以上會氧化生成 In?O?；可溶于強酸（如鹽酸、硫酸），但在堿中穩定性較高。
