蘇州卡斯圖電子有限公司自主研發(fā)的無(wú)損紅外透視顯微技術(shù)，廣泛交付于半導(dǎo)體（Semiconductor）領(lǐng)域公司、平板顯示（FPD）公司、科研單位、高校及第三方實(shí)驗(yàn)室、軍工企業(yè)，解決了該技術(shù)多年來(lái)被日本奧林巴斯壟斷的窘境，為國(guó)內(nèi)外客戶創(chuàng)造了更高的效益。
該技術(shù)方案得益于精密光學(xué)設(shè)計(jì)、納米級(jí)加工的集成式光學(xué)系統(tǒng)，創(chuàng)造性地兼容于常規(guī)金相顯微鏡（2寸-12寸）、常規(guī)體視顯微鏡（伽利略型及格林諾夫型）、常規(guī)工具顯微鏡、常規(guī)影像測(cè)量?jī)x、超景深顯微鏡、大型龍門(mén)工業(yè)顯微鏡（ZUI大120寸）。技術(shù)方案可采用結(jié)構(gòu)光、近紅外波段、中遠(yuǎn)紅外波段、太赫茲波段穿透芯片、顯示面板表層封裝的非金屬化合物，對(duì)客戶產(chǎn)品進(jìn)行無(wú)損檢查。其微米/納米級(jí)物體內(nèi)部無(wú)損檢測(cè)技術(shù)在VECSEL器件、薄膜型黏晶材料穿透、全復(fù)消色差紅外檢測(cè)、可見(jiàn)光/紅外對(duì)位檢測(cè)等應(yīng)用。
MIR200紅外顯微鏡——硅基無(wú)損紅外透視顯微解決方案
D一代半導(dǎo)體（硅基）
D一代半導(dǎo)體是單質(zhì)材料，因此也被稱(chēng)為“元素半導(dǎo)體”。世界上D一只晶體管是由鍺（Ge）生產(chǎn)出來(lái)的，但鍺的非必要能耗與器件耗損，以及儲(chǔ)量和價(jià)格，相較硅來(lái)說(shuō)不具優(yōu)勢(shì)。硅（包括硅基）器件占到了全球銷(xiāo)售的一代半導(dǎo)體產(chǎn)品95%以上。
國(guó)內(nèi)前三晶圓代工廠，12寸晶圓無(wú)損穿透案例：
MIR全系列工業(yè)顯微鏡,2寸/4寸/6寸/8寸/12寸，能夠穿透樣品表面，進(jìn)行良好地?zé)o損觀察檢測(cè)，檢測(cè)效果良好、速度快，大幅提升了客戶效率。本系列顯微鏡可根據(jù)客戶要求定制濾片、鏡頭、相機(jī)、平臺(tái)，可搭配自動(dòng)傳動(dòng)設(shè)備。
D一代半導(dǎo)體（硅基）
薄膜型黏晶材料主要應(yīng)用于堆疊式晶片級(jí)封裝體（Stacked Chip Scale Package,SCSP）中，對(duì)于兩種黏晶材料DAF(Die Attach Film)與FOW(Film Over Wire),公司紅外穿透顯微鏡結(jié)合特殊觀察方式，能夠輕松穿透兩種黏晶材料。
國(guó)內(nèi)LED制造企業(yè)之一，6寸晶圓無(wú)損穿透硅片背面及DAF膜案例：
無(wú)效檢測(cè) 無(wú)效檢測(cè) MIR200穿透DAF/FOW薄膜
D一代半導(dǎo)體（硅基）圖片賞析
已交付近50家國(guó)內(nèi)客戶用于硅（硅基）產(chǎn)品，以下為MIR200近紅外顯微鏡拍攝效果圖片。
D一代半導(dǎo)體（硅基）圖片賞析
已交付近50家國(guó)內(nèi)客戶用于硅（硅基）產(chǎn)品，以下為MIR200近紅外顯微鏡拍攝效果圖片。
