鍍銀最早始于l800年，個鍍銀的專利是1838年由英國伯明翰的Elkington兄弟提出的，所用的鍍液為堿性氰化物鍍液，與他們發明的堿性氰化物鍍黃金體系很類似。一個多世紀以來，鍍銀液的基本配方和當年的配方差別不大，僅僅是提高了銀配位離子濃度以達到快速鍍銀的目的而已。氰系鍍液過去的主要缺點是使用的電流密度小，現在這個問題也解決了，鍍銀使電流密度可高達10A/dm，光亮鍍銀可達1.5～3A/dm，其鍍面光滑而無需再打光，也可鍍厚。近年來快速發展起來的電子元器件的高速選擇性鍍銀，如引線框架的選擇性鍍銀，采用噴射鍍的方法。所用的電流密度高達300～3000A/dm，鍍液中氰化銀鉀[KAg(CN)2]的濃度 也高達40～75g/L，陽極采用白金或鍍鉑的鈦陽極，這樣在1s內即可鍍上約4～5μm的銀層，它已能滿足硅芯片和銀焊墊之間用鋁線來鍵合(Bonding)。
用二硫化碳做光亮劑并不能得到全光亮的銀層，且加入鍍液后要等一段時間才會發生作用，估計真正的光亮劑是二硫化碳與鍍液中的CN一反應生成的取代尿素、硫脲、胍、硫化物、氰胺化物(cyanamide)及其他種硫化物中的某些化合物。